Gordon Moore Vermögen

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Gordon Moore Vermögen – Gordon Moore, ein Mitbegründer der Intel Corporation und der Mann, dem zugeschrieben wird, dass er das frenetische Tempo des technologischen Fortschritts im digitalen Zeitalter mit einer einfachen Vorhersage aus dem Jahr 1965 hinsichtlich der Geschwindigkeit bestimmt hat, mit der Ingenieure die Verarbeitungsleistung von Computerchips erhöhen würden.

Ist gestorben weg. Robert Noyce, mit vollem Namen Robert Norton Noyce, war ein amerikanischer Ingenieur und einer der Miterfinder der integrierten Schaltung. Er wurde am 12. Dezember 1927 in Burlington, Iowa, in den Vereinigten Staaten geboren und starb am 3. Juni 1990 in Austin, Texas.

Ausbildung:

Die Familie Noyce zog 1939 nach Grinnell, Iowa, um, als der Patriarch der Familie dort eine Stelle als Pastor der Kongregation annahm. In Grinnell begann der Sohn der Familie, Eigenschaften eines Erfinders und Tüftlers zu zeigen. Noyce erhielt 1949 einen Bachelor of Arts in Physik vom Grinnell College und 1953 einen Doktor der Philosophie in Festkörperphysik vom Massachusetts Institute of Technology (MIT). Seine Dissertation am MIT konzentrierte sich auf den Transistor, das Stück Technologie die er damals am faszinierendsten fand.

Shockley Semiconductor Laboratory:

Seit Noyce als College-Student ein frühes Modell gesehen hatte, war er mit dem Konzept des Transistors beschäftigt, das erst 1947 in den Bell Labs entwickelt wurde. Während Noyce 1956 bei der Philco Company angestellt war, kreuzten sich seine Wege mit William Shockley, der später den Nobelpreis für seine Arbeit am Transistor erhielt.

Shockley war dabei, neue Forscher für die Arbeit bei Shockley Semiconductor Laboratories einzustellen, der Firma, die er in Palo Alto, Kalifornien, mit der Absicht gegründet hatte, Hochgeschwindigkeitstransistoren herzustellen. Noyce ergriff die Chance mit beiden Händen und mietete ein Haus in Palo Alto lange vor seinem geplanten Vorstellungsgespräch dort.

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Aber Anfang 1957 hatten sich die für das neue Unternehmen arbeitenden Ingenieure gegen Shockley aufgelehnt und versuchten, ihn aus seiner Führungsposition zu entfernen. Sie behaupteten, dass Shockleys schlechtes Management Produktionsverzögerungen verursacht und die Moral negativ beeinflusst habe.

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Nach dem gescheiterten Versuch, Shockley abzusetzen, traten Noyce und sieben weitere Kollegen, darunter Gordon Moore, von ihren Posten zurück. Die Gruppe, die Shockley als die „verräterischen Acht“ bezeichnete, verhandelte erfolgreich mit der Fairchild Camera and Instrument Company über die Gründung einer neuen Firma, der Fairchild Semiconductor Corporation mit Sitz in Santa Clara. Noyce fungierte während des gesamten Prozesses als Anführer der Gruppe.

Die Fairchild Semiconductor Company und die Entwicklung des integrierten Schaltkreises. 1958 entwickelte Jean Hoerni, der auch Gründer von Fairchild Semiconductor war, ein Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung aus Siliziumoxid auf Transistoren. Diese Schicht diente als Barriere gegen Schmutz, Staub und andere Schadstoffe.

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Die von Hoerni entwickelte Methode ermöglichte es Noyce, erfolgreich einen bahnbrechenden Durchbruch umzusetzen. Damals stellte Fairchild Transistoren und andere Bauteile auf riesigen Wafern aus Silizium her, schnitt die Bauteile aus dem Wafer heraus und verknüpfte die einzelnen Bauteile anschließend mit Drähten. Dagegen wurde das Löten an immer kleineren Stellen immer schwieriger, da die Anzahl der Verbindungen auf der Platine zunahm.

Noyce erkannte, dass es nicht wesentlich war, die Waffel auseinander zu schneiden; Stattdessen konnte er auf einem einzigen Siliziumwafer eine vollständige Schaltung aufbauen, die integrierte Schaltung. Diese Schaltung umfasste Transistoren, Widerstände und andere Komponenten (IC).

In dieser Hinsicht hatten Noyce und Miterfinder Jack Kilby, der damals bei Texas Instruments beschäftigt war, ähnliche Gedankengänge. Beide verstanden die Bedeutung des Wafers, und als Ergebnis wurden ihren jeweiligen Firmen Patente erteilt, die verschiedene Bereiche des Entwurfs und der Produktion integrierter Schaltkreise abdeckten.

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Aber Noyce hatte eine umfassendere Sichtweise. Noyce erkannte, dass die Schwierigkeit beim Verbinden der Komponenten gelöst werden könnte, indem Leiterbahnen aus leitfähigem Metall (die „Drähte“) direkt auf die Oberfläche des Siliziumwafers aufgedampft werden. Dieses Verfahren ist als planares Verfahren bekannt.

Die individuellen Beiträge von Kilby und Noyce zur Erfindung der integrierten Schaltung werden gemeinsam anerkannt. Trotzdem erhielt Fairchild Semiconductor nach vielen juristischen Auseinandersetzungen das Patent für den Planarprozess, der die grundlegende Methode ist, der nachfolgende Hersteller folgen. Sowohl Noyce als auch Fairchild wurden durch die Erfindung reich.

Ein Wort zur Intel Corporation:

1968 kündigten Noyce und Moore ihre Positionen bei Fairchild Semiconductor, um ihr eigenes Unternehmen zu gründen. Kurz darauf schloss sich ihnen ein weiterer Mitarbeiter von Fairchild, Andrew Grove, an, und gemeinsam gründeten sie die Intel Corporation. 1971 entwickelte Intel den ersten Mikroprozessor.

Der die Schaltkreise zum Speichern und Verarbeiten von Informationen auf einem einzigen Siliziumchip vereintermation. Möglich wurde diese Innovation durch die Einführung des integrierten Schaltkreises. Es dauerte nicht lange, bis Intel zum bekanntesten Hersteller von Mikroprozessorchips wurde. Bevor er 1978 seine derzeitige Position als Vorstandsvorsitzender der Semiconductor Industry Association antrat, war Noyce von 1965 bis 1975 Präsident von Intel. Danach war er Vorstandsvorsitzender.

Staatsmann:

Die Semiconductor Industry Association (SIA) wurde gegründet, um den wachsenden wirtschaftlichen Problemen des US-Halbleitersektors, insbesondere im Hinblick auf die Konkurrenz aus Übersee, zu begegnen.

Noyce war maßgeblich an der Gründung von Sematech beteiligt, einem gemeinsamen Konsortium aus Industrie und Regierung, das mit manchmal konkurrierenden Zielen gegründet wurde. Zu diesen Zielen gehörten Forschung, um die amerikanische Halbleiterindustrie an der Spitze zu halten, sowie Bemühungen, eine inländische Halbleiterfertigungskapazität aufrechtzuerhalten.

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Noyce spielte eine wichtige Rolle bei der Gründung von Sematech. 1988 wurde Noyce zum Präsidenten von Sematech Inc. ernannt. Noyce wurde 1979 die National Medal of Science verliehen, zusätzlich zu 16 Patenten auf seinen Namen. Noyce war sein ganzes Leben lang Schwimmer gewesen und war der vorherige Staatsmeister im Tauchen von Iowa. 1990 erlitt er nach Beendigung seines morgendlichen Schwimmens einen Herzinfarkt und starb.

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